类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 31.0 A |
封装 | TO-247-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 99 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 255 W |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 2.80 nF |
栅电荷 | 80.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 650 V |
连续漏极电流(Ids) | 31.0 A |
上升时间 | 5 ns |
输入电容值(Ciss) | 2800pF @100V(Vds) |
额定功率(Max) | 255 W |
下降时间 | 5 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 255W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended |
包装方式 | Tube |
长度 | 16.13 mm |
宽度 | 5.21 mm |
高度 | 21.1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.63 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPW60R099CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 600 V, 99 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPW60R099CPFKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 600 V, 99 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R099C6FKSA1, 38 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
Infineon(英飞凌)
IPW60R099CPA 系列 600V 0.105 Ohm N沟道 CoolMOSTM 功率 晶体管-PG-TO-247-3
Infineon(英飞凌)
的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件