Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor（威世） > IRF610PBF Datasheet 文档
IRF610PBF
来自 AiPCBA

IRF610PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
PDF文件:IRF610PBF 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRF610PBF 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF610PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流3.30 A
封装TO-220-3
额定功率36 W
针脚数3 Position
漏源极电阻1.5 Ω
极性N-Channel
功耗36 W
阈值电压4 V
输入电容140pF @25V
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
连续漏极电流(Ids)3.30 A
上升时间17 ns
输入电容值(Ciss)140pF @25V(Vds)
下降时间8.9 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)36 W
查看数据手册 >

IRF610PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度9.01 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

IRF610PBF 数据手册

IRF610PBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
8 页 / 0.62 MByte
IRF610PBF 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.26 MByte
IRF610PBF 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
3 页 / 0.14 MByte

IRF610 数据手册

IRF610 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRF610 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRF610 数据手册
Intersil（英特矽尔）
3.3A ， 200V ， 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET 3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRF610 数据手册
Vishay Siliconix
IRF610 数据手册
Harris
IRF610 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRF610 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 3.5A ， 150-200V N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
IRF610 数据手册
Motorola（摩托罗拉）
IRF610 数据手册
Samsung（三星）
IRF610 数据手册
Microsemi（美高森美）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF610 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet