| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 7 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 14.0 A |
| 封装 | Direct-FET |
| 漏源极电阻 | 6.20 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.1 W |
| 零部件系列 | IRF6617 |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 14.0 A |
| 上升时间 | 34.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1300pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.1 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | End of Life |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 9.4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 6.3Ω/Ohm @15A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.3-2.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 3.6W Description & Applications| HEXFETPower MOSFET Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques 描述与应用| HEXFET功率MOSFET 特殊应用的MOSFET 非常适于CPU核心的DC-DC转换器 低传导损耗 高CDV/ dt抗扰性 薄型（<0.7毫米） 双面冷却双兼容 与现有的表面兼容 安装技术
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF6617TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.0062 ohm, 10 V, 2.35 V 新
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IRF6617TR1 N沟道MOSFET 20V 9.4A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS
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