| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 7 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 27.0 A |
| 封装 | DirectFET-7 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 2.7 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.8 W |
| 零部件系列 | IRF6620 |
| 阈值电压 | 2.45 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 22.0 A |
| 上升时间 | 80.0 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 工作结温(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | End of Life |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 宽度 | 5.05 mm |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 150A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.0027Ω/Ohm @2.7A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.55-2.45V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2.8W Description & Applications| HEXFETPower MOSFET Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount echniques 描述与应用| HEXFET功率MOSFET 特殊应用的MOSFET 非常适于CPU核心的DC-DC转换器 低传导损耗 低开关损耗 薄型（<0.7毫米） 双面冷却双兼容 与现有的表面贴装echniques的兼容
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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 20 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.45 V
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IRF6620TR1 N沟道MOSFET 20V 150A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS
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