类型 | 描述 |
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封装 | Direct-FET |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 27A |
Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 20 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.45 V
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IRF6620TR1 N沟道MOSFET 20V 150A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS
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