类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 32.0 A |
封装 | DirectFET? Isometric MX |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
零部件系列 | IRF6635 |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 32.0 A |
上升时间 | 13.0 ns |
输入电容值(Ciss) | 5970pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.8 W |
耗散功率(Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon(英飞凌)
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IRF
DirectFET功率MOSFET DirectFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF6635TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.8 V 新
International Rectifier(国际整流器)
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