| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 50 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3A |
| 上升时间 | 1.7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 255pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.4 W |
| 下降时间 | 2.3 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2400 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 50V ， RDS（ON） = 0.130ohm ，ID = 3.0A ） Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.130ohm, Id=3.0A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7103TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7103TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7103PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 130 mohm, 10 V, 3 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7103PBF 双路场效应管, N 通道, MOSFET, 50V, SOIC 新
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