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IRF7606TRPBF
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IRF7606TRPBF 数据手册 (7 页)
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IRF7606TRPBF 技术参数、封装参数

IRF7606TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

IRF7606TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
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IRF7606 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -30V , RDS(ON) = 0.09ohm ) Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.09ohm)
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON  IRF7606PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 3.6 A, -20 V, 90 mohm, -10 V, -1 V
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