| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 200 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.003 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 200 W |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 输入电容 | 5890 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 260A |
| 上升时间 | 160 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5890pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 330 W |
| 下降时间 | 57 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 330W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.66 mm |
| 宽度 | 4.82 mm |
| 高度 | 16.51 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL3713STRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 30 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL3713PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 2.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL3713SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 2.5 V
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