| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 52 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.105 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 79 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 输入电容 | 800 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 17A |
| 上升时间 | 53 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 800pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 79 W |
| 下降时间 | 26 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 79W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
●Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLR3410TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.105 ohm, 10 V, 2 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRLR3410TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道
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INFINEON IRLR3410PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 105 mohm, 10 V, 2 V
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场效应管(MOSFET) IRLR3410TRRPBF DPAK
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晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.105 ohm, 10 V, 2 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRLR3410PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 17A, D-PAK 新
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