| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 960pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 4.1 ns |
| 耗散功率(Max) | 2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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INFINEON IRF8910TRPBF 场效应管, MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF8910PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 A, 20 V, 13.4 mohm, 10 V, 2.55 V
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