Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor（威世） > IRFD110 Datasheet 文档
IRFD110
来自 AiPCBA

IRFD110 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:DIP
描述:功率MOSFET Power MOSFET
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRFD110 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFD110 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数4 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流1.00 A
封装DIP
漏源极电阻540 mΩ
极性N-Channel
功耗1.30 W
漏源极电压(Vds)100 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)1.00 A
上升时间16 ns
下降时间9.4 ns

IRFD110 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃

IRFD110 数据手册

IRFD110 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.14 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet