类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | DIP-4 |
功耗 | 1.3W (Ta) |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
输入电容值(Ciss) | 180pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.3 W |
耗散功率(Max) | 1.3W (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
Vishay Siliconix
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International Rectifier(国际整流器)
Intersil(英特矽尔)
1A , 100V , 0.600 Ohm的N通道功率MOSFET 1A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
International Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFD110PBF... 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
100V,0.54Ω,1A,N沟道功率MOSFET
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