| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | DIP-4 |
| 额定功率 | 1.3 W |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.54 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.3 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 180pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.00 A |
| 上升时间 | 16 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 180pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 9.4 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.3 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.29 mm |
| 宽度 | 6.29 mm |
| 高度 | 3.37 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Vishay Semiconductor（威世）
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Vishay Semiconductor（威世）
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International Rectifier（国际整流器）
Intersil（英特矽尔）
1A ， 100V ， 0.600 Ohm的N通道功率MOSFET 1A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
International Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFD110PBF... 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
100V,0.54Ω,1A,N沟道功率MOSFET
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