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IRFH5210TRPBF
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IRFH5210TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PowerVDFN-8
描述:INFINEON  IRFH5210TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 4 V 新
PDF文件:IRFH5210TRPBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在7 页
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IRFH5210TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRFH5210TRPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PowerVDFN-8
额定功率3.6 W
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0126 Ω
极性N-Channel
功耗104 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)10A
上升时间9.7 ns
输入电容值(Ciss)2570pF @25V(Vds)
额定功率(Max)3.6 W
下降时间6.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.6W (Ta), 104W (Tc)
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IRFH5210TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRFH5210TRPBF 数据手册

IRFH5210TRPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.23 MByte
IRFH5210TRPBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IRFH5210TRPBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IRFH5210TRPBF 产品设计图
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
IRFH5210TRPBF 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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