| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-251-3 |
| 额定功率 | 39 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.21 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 48 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 330 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.4A |
| 上升时间 | 23 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 330pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 48 W |
| 下降时间 | 23 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 48W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 2.3 mm |
| 高度 | 6.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
●Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
VISHAY（威世）
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 100 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFU120NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 9.4A, IPAK 新
International Rectifier（国际整流器）
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFU120PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 100 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
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