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IRFU120NPBF
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IRFU120NPBF 数据手册 (11 页)
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IRFU120NPBF 技术参数、封装参数

IRFU120NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

IRFU120NPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.38 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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IRFU120 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 100 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFU120NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 9.4A, IPAK 新
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFU120PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 100 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 55V 44A
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