| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 68 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 3.8 W |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 19A |
| 上升时间 | 55 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 620pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 41 ns |
| 耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 68W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 55 V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
Infineon（英飞凌）
11 页 / 1.07 MByte
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International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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