Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor（威世） > IRFIZ34GPBF Datasheet 文档
IRFIZ34GPBF
来自 AiPCBA

IRFIZ34GPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:VISHAY  IRFIZ34GPBF  场效应管, MOSFET, N沟道
PDF文件:IRFIZ34GPBF 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRFIZ34GPBF 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFIZ34GPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.05 Ω
极性N-Channel
功耗42 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)20.0 A
上升时间100 ns
输入电容值(Ciss)1200pF @25V(Vds)
下降时间52 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)42 W
查看数据手册 >

IRFIZ34GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度9.8 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
查看数据手册 >

IRFIZ34GPBF 数据手册

IRFIZ34GPBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 2.92 MByte
IRFIZ34GPBF 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
8 页 / 2.91 MByte

IRFIZ34 数据手册

IRFIZ34 数据手册
Vishay Siliconix
IRFIZ34 数据手册
Infineon（英飞凌）
IRFIZ34 数据手册
Samsung（三星）
IRFIZ34 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
IRFIZ34 数据手册
Vishay Intertechnology
IRFIZ34NPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IRFIZ34NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
IRFIZ34GPBF 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFIZ34NPBF 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRFIZ34GPBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  IRFIZ34GPBF  场效应管, MOSFET, N沟道
IRFIZ34N 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet