NJVMJD47T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	双极性晶体管
封装:	TO-252-3
描述:	高电压晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管
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NJVMJD47T4G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
频率	10 MHz
引脚数	3 Pin
封装	TO-252-3
额定功率	1.56 W
极性	NPN
功耗	1.56 W
击穿电压(集电极-发射极)	250 V
集电极最大允许电流	1A
最小电流放大倍数	30 @300mA, 10V
额定功率(Max)	1.56 W
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-65 ℃
耗散功率(Max)	1560 mW

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NJVMJD47T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
材质	Silicon
长度	6.22 mm
宽度	6.73 mm
高度	2.38 mm
工作温度	-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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NJVMJD47T4G 符合标准

NJVMJD47T4G 概述

NJVMJD47T4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.07 MByte

NJVMJD47T4G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.11 MByte

NJVMJD47T4G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.11 MByte

NJVMJD47T4 数据手册

NJVMJD47T4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

高电压晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管

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