| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.05 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 42 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
| 上升时间 | 100 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1200pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 42 W |
| 下降时间 | 52 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 42 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 高度 | 9.8 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 50 |
N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
8 页 / 2.91 MByte
VISHAY（威世）
2 页 / 0.12 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFIZ34NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFIZ34GPBF 场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier（国际整流器）
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