| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-261-4 |
| 额定功率 | 2.1 W |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.2 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 2.1 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.2A |
| 上升时间 | 18 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 330pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IRFL4310TRPBF 是一款HEXFET® 第五代N沟道功率MOSFET, 采用先进的技术, 具有极低的单位面积导通电组。这种性能结合快速开关速度, 以及坚固耐用的器件设计, 提供极高效率和可靠性。该封装设计用于表面安装, 采用气相, 红外或波峰焊技术。与其他SOT或SOIC封装一样, 独特的封装设计可兼容自动pick-and-place, 具有更大的散热片, 提供优秀的散热性能。典型表面安装应用, 可提供1W功耗。
●SP001564078
● 动态dV/dt额定值
● 易于并联
● 先进的工艺技术
● 低静态漏-源导通电阻
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.64 MByte
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INFINEON IRFL4310TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRFL4310PBF 场效应管, MOSFET, N
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IRFL4310TR N沟道MOSFET 2.2A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 FL4310 低栅极电荷/极低的RDS/高功率和电流绫能力
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