类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
额定功率 | 310 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0045 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 310 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 75 V |
漏源击穿电压 | 75 V |
连续漏极电流(Ids) | 170A |
上升时间 | 140 ns |
输入电容值(Ciss) | 7500pF @25V(Vds) |
下降时间 | 100 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 310W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.9 mm |
宽度 | 5.3 mm |
高度 | 20.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(ON) = 4.5mohm ,ID = 209A ) Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=4.5mohm, Id=209A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFP2907PBF 晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 209 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFP2907ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
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