| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 7 Pin |
| 封装 | Direct-FET |
| 额定功率 | 89 W |
| 针脚数 | 7 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0021 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 89 W |
| 阈值电压 | 2.45 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 27A |
| 上升时间 | 80 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4130pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.8 W |
| 下降时间 | 6.6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.35 mm |
| 宽度 | 5.05 mm |
| 高度 | 0.7 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 20 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.45 V
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IRF6620TR1 N沟道MOSFET 20V 150A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS
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