| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 43 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.6 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 43 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 300pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 43 W |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 43W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
IRFR220NTRPBF 是一款HEXFET® 单N沟道功率MOSFET, 低栅极-漏极电荷, 以降低开关损耗。适用于高频DC-DC转换器。
●SP001577980
● 完全表征电容, 包括有效COSS, 可简化设计
● 全面表征雪崩电压和电流
● 低静态漏-源导通电阻
● 动态dV/dt额定值
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.21 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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International Rectifier（国际整流器）
Intersil（英特矽尔）
4.6A ， 200V ， 0.800 Ohm的N通道功率MOSFET 4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
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