类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
额定功率 | 130 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0065 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 130 W |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 2900 pF |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
连续漏极电流(Ids) | 89A |
上升时间 | 150 ns |
输入电容值(Ciss) | 2900pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 130 W |
下降时间 | 70 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 130W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.39 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET,55V,Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.33 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.06 MByte
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLR3705ZTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.0065 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLR3705ZPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
专为汽车应用,这HEXFET功率MOSFET Specifically designed for Automotive applications,this HEXFET Power MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件