| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-251-3 |
| 额定功率 | 66 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.205 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 66 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13A |
| 上升时间 | 58 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 760pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 66 W |
| 下降时间 | 46 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 66W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 2.39 mm |
| 高度 | 6.22 mm |
| 脚长度 | 9.65 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET 100V 至 150V，Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.26 MByte
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Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -100V ， RDS（ON） = 0.205ohm ，ID = -13A ） Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFU5410PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 205 mohm, -10 V, -4 V
International Rectifier（国际整流器）
P沟道,-100V,-13A,205mΩ@-10V
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