| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 61.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 13 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 87 W |
| 零部件系列 | IRFR3708 |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 61.0 A |
| 上升时间 | 50.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2417pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 87 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFR3708PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 30 V, 0.0085 ohm, 10 V, 2 V
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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 30 V, 0.0085 ohm, 10 V, 2 V
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Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IRFR3708TRRPBF DPAK
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