类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
额定功率 | 250 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.008 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 200 W |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 5150 pF |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 96A |
上升时间 | 80 ns |
输入电容值(Ciss) | 5150pF @50V(Vds) |
下降时间 | 50 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 200W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10.67 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 100 V 88A(Tc) 200W(Tc) PG-TO263-3
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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INFINEON IRFS4410TRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V 新
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRFS4410ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 7.2 mohm, 10 V, 4 V
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N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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