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IPP072N10N3GXKSA1
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IPP072N10N3GXKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP072N10N3GXKSA1, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
PDF文件:IPP072N10N3GXKSA1 数据手册 (10 页)
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引脚图
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IPP072N10N3GXKSA1 数据手册 (10 页)
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IPP072N10N3GXKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率150 W
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0062 Ω
极性N-Channel
功耗150 W
阈值电压2.7 V
输入电容3690 pF
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)80A
上升时间37 ns
输入电容值(Ciss)3690pF @50V(Vds)
下降时间9 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150W (Tc)
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IPP072N10N3GXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.36 mm
宽度4.4 mm
高度4.57 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPP072N10N3GXKSA1 数据手册

IPP072N10N3GXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.56 MByte
IPP072N10N3GXKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPP072N10N3GXKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPP072N10N3GXKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPP072N10N3GXKSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.05 MByte

IPP072N10N3 数据手册

IPP072N10N3GXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP072N10N3GXKSA1, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
IPP072N10N3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPP072N10N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.0062 ohm, 10 V, 2.7 V
IPP072N10N3G 数据手册
Infineon（英飞凌）
100V,80A,N沟道功率MOSFET
IPP072N10N3GXK 数据手册
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