| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 151 W |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 151 W |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.2A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1400pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 151 W |
| 下降时间 | 9 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 151W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.31 mm |
| 宽度 | 9.45 mm |
| 高度 | 4.57 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
Infineon（英飞凌）
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Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
Infineon（英飞凌）
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R190C6ATMA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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