类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
额定功率 | 2.5 W |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 0.13 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 2.5 W |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 870 pF |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.6A |
上升时间 | 21 ns |
输入电容值(Ciss) | 870pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.5 W |
下降时间 | 71 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.5W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 5 mm |
宽度 | 3.9 mm |
高度 | 1.75 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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INFINEON IRF7205TRPBF 场效应管, MOSFET
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INFINEON IRF7205PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 4.6 A, -30 V, 70 mohm, -10 V, -3 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7205PBF 场效应管, P通道, MOSFET, -30V, 4.6A, SOIC 新
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