类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 7 Pin |
封装 | DirectFET-3 |
额定功率 | 42 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 7 Position |
漏源极电阻 | 0.0062 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 42 W |
阈值电压 | 2.35 V |
输入电容 | 1300 pF |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 14A |
上升时间 | 34 ns |
输入电容值(Ciss) | 1300pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.1 W |
下降时间 | 3.7 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 3.95 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF6617TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.0062 ohm, 10 V, 2.35 V 新
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IRF6617TR1 N沟道MOSFET 20V 9.4A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS
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