类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 55.0 V |
额定电流 | 49.0 A |
封装 | TO-263 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 110 W |
零部件系列 | IRFZ44NS |
输入电容 | 1.47 nF |
栅电荷 | 63.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 55.0 V |
漏源击穿电压 | 55.0V (min) |
连续漏极电流(Ids) | 49.0 A |
上升时间 | 60 ns |
输入电容值(Ciss) | 1470pF @25V(Vds) |
下降时间 | 45 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3800 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | End of Life |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.15 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
International Rectifier(国际整流器)
NXP(恩智浦)
N沟道增强模式的TrenchMOS晶体管 N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件