IRG4PH20K 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
封装:	TO-247-3
PDF文件:	IRG4PH20K 数据手册 (9 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IRG4PH20K 数据手册 (9 页)

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IRG4PH20K 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-247-3
额定功率	60 W
击穿电压(集电极-发射极)	1200 V
额定功率(Max)	60 W

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IRG4PH20K 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Bulk
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRG4PH20K 符合标准

IRG4PH20K 概述

IRG4PH20K 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.15 MByte

IRG4PH20K 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

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IRG4PH20K 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

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IRG4PH20 数据手册

IRF

绝缘栅双极晶体管（ VCES = 1200V ，的VCE（on ）典型值= 3.17V ， @ VGE = 15V ， IC = 5.0A ） INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

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