类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
额定功率 | 60 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
反向恢复时间 | 51 ns |
额定功率(Max) | 60 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Bulk |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IGBT - 1200 V 11 A 60 W 通孔 TO-247AC
Infineon(英飞凌)
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IRF
绝缘栅双极晶体管( VCES = 1200V ,的VCE(on )典型值= 3.17V , @ VGE = 15V , IC = 5.0A ) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRG4PH20KDPBF 单晶体管, IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRG4PH20KPBF 单晶体管, IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
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