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SDB20S30
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SDB20S30 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:二极管阵列
封装:TO-263-3
描述:碳化硅肖特基二极管的开关行为基准的无反向恢复 Silicon Carbide Schottky Diode Switching behavior benchmark No reverse recovery
PDF文件:SDB20S30 数据手册 (8 页)
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SDB20S30 数据手册 (8 页)
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SDB20S30 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)300 V
额定电流10.0 A
封装TO-263-3
输出电流≤10.0 A
正向电压1.7V @10A
极性Standard
反向恢复时间0 ns
正向电压(Max)1.7V @10A
正向电流(Max)10 A
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)65000 mW
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SDB20S30 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
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SDB20S30 数据手册

SDB20S30 数据手册
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.79 MByte
SDB20S30 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
SDB20S30 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.02 MByte

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