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IXEN60N120
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IXEN60N120 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXEN60N120 数据手册 (11 页)封装尺寸在9 页10 页
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焊盘图
引脚图
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IXEN60N120 数据手册 (11 页)
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IXEN60N120 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)3.8nF @25V
额定功率(Max)445 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
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IXEN60N120 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXEN60N120 数据手册

IXEN60N120 数据手册
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11 页 / 0.67 MByte
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7 页 / 0.19 MByte

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