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IXSN80N60AU1
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IXSN80N60AU1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXSN80N60AU1 数据手册 (4 页)
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IXSN80N60AU1 数据手册 (4 页)
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IXSN80N60AU1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOT-227-4
击穿电压(集电极-发射极)600 V
输入电容值(Cies)8.5nF @25V
额定功率(Max)500 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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IXSN80N60AU1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度38.3 mm
宽度25.07 mm
高度9.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXSN80N60AU1 数据手册

IXSN80N60AU1 数据手册
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