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> IGBT晶体管 > IXYS Semiconductor > IXGN60N60C2D1 Datasheet 文档
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来自 AiPCBA
IXGN60N60C2D1 数据手册 - IXYS Semiconductor
制造商:
IXYS Semiconductor
分类:
IGBT晶体管
封装:
SOT-227-4
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXGN60N60C2D1 数据手册
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IXGN60N60C2D1 数据手册 (5 页)
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IXGN60N60C2D1 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Chassis
引脚数
4 Pin
封装
SOT-227-4
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
输入电容值(Cies)
4.75nF @25V
额定功率(Max)
480 W
IXGN60N60C2D1 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
IXGN60N60C2D1 符合标准
IXGN60N60C2D1 概述
IGBT 模块 PT 单路 600 V 75 A 480 W 底座安装 SOT-227B
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