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IXEN60N120D1
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IXEN60N120D1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXEN60N120D1 数据手册 (7 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IXEN60N120D1 数据手册 (7 页)
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IXEN60N120D1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
额定功率445 W
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)3.8nF @25V
额定功率(Max)445 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)40 ℃
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IXEN60N120D1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度38.23 mm
宽度25.42 mm
高度9.6 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXEN60N120D1 数据手册

IXEN60N120D1 数据手册
IXYS Semiconductor
7 页 / 0.21 MByte
IXEN60N120D1 其他数据使用手册
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8 页 / 0.19 MByte

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