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IXGN60N60
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IXGN60N60 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXGN60N60 数据手册 (6 页)
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焊盘图
引脚图
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IXGN60N60 数据手册 (6 页)
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IXGN60N60 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流100 A
封装SOT-227-4
功耗250000 mW
上升时间30.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)600 V
输入电容值(Cies)4nF @25V
额定功率(Max)250 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)250000 mW
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IXGN60N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Bulk
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXGN60N60 数据手册
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