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IXFB40N110P
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IXFB40N110P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:PLUS-264-3
描述:N沟道 1.1kV 40A
PDF文件:IXFB40N110P 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IXFB40N110P 数据手册 (5 页)
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IXFB40N110P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装PLUS-264-3
通道数1 Channel
漏源极电阻260 mΩ
极性N-CH
功耗1.25 kW
漏源极电压(Vds)1100 V
漏源击穿电压1100 V
连续漏极电流(Ids)40A
上升时间55 ns
输入电容值(Ciss)19000pF @25V(Vds)
下降时间54 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)1250W (Tc)
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IXFB40N110P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度20.29 mm
宽度5.31 mm
高度26.59 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFB40N110P 数据手册

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