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IXFH21N50F
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IXFH21N50F 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:晶体管
封装:TO-247-3
描述:IXYS RF  IXFH21N50F  晶体管, 射频FET, 500 V, 21 A, 300 W, 500 kHz, TO-247AD
PDF文件:IXFH21N50F 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
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IXFH21N50F 数据手册 (8 页)
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IXFH21N50F 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
极性N-Channel
功耗300 W
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)21.0 A
上升时间12.0 ns
输入电容值(Ciss)2600pF @25V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IXFH21N50F 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFH21N50F 数据手册

IXFH21N50F 数据手册
IXYS Semiconductor
8 页 / 0.17 MByte
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