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IXKC20N60C
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IXKC20N60C 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:ISOPLUS-220
PDF文件:IXKC20N60C 数据手册 (5 页)
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IXKC20N60C 数据手册 (5 页)
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IXKC20N60C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装ISOPLUS-220
极性N-CH
功耗-
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)15A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)2400pF @25V(Vds)
下降时间4.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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IXKC20N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXKC20N60C 数据手册

IXKC20N60C 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.16 MByte
IXKC20N60C 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.16 MByte
IXKC20N60C 产品封装文件
IXYS Semiconductor
8 页 / 0.25 MByte

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