类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.16 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 360 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
连续漏极电流(Ids) | 30.0 A |
上升时间 | 42 ns |
输入电容值(Ciss) | 5700pF @25V(Vds) |
下降时间 | 26 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
工作结温(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 360W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
长度 | 16.26 mm |
宽度 | 5.3 mm |
高度 | 21.46 mm |
重量 | 6 g |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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IXYS SEMICONDUCTOR IXFH30N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 5 V
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N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXYS SEMICONDUCTOR IXFH30N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 30 A, 500 V, 160 mohm, 10 V, 4 V
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