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IXFH40N85X 数据手册 - IXYS Semiconductor
制造商:
IXYS Semiconductor
分类:
MOS管
封装:
TO-247-3
描述:
N沟道 850V 40A
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXFH40N85X 数据手册
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IXFH40N85X 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
极性
N-CH
功耗
860 W
漏源极电压(Vds)
850 V
连续漏极电流(Ids)
40A
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
3700pF @25V(Vds)
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
860W (Tc)
IXFH40N85X 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
IXFH40N85X 符合标准
IXFH40N85X 数据手册
IXFH40N85X
其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 0.25 MByte
IXFH40N85 数据手册
IXFH40N85
X
数据手册
IXYS Semiconductor
N沟道 850V 40A
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