| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-247-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 300 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80A |
| 上升时间 | 63 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4800pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 26 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 16.26 mm |
| 宽度 | 5.3 mm |
| 高度 | 21.46 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IXYS Semiconductor
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IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiPerFET™ X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管，且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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