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IXFR120N20
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IXFR120N20 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道 200V 105A
PDF文件:IXFR120N20 数据手册 (2 页)
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焊盘图
引脚图
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IXFR120N20 数据手册 (2 页)
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IXFR120N20 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流105 A
封装TO-247-3
通道数1 Channel
漏源极电阻17.0 mΩ
极性N-CH
功耗417 W
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)105 A
上升时间65 ns
输入电容值(Ciss)9100pF @25V(Vds)
下降时间35 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)417W (Tc)
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IXFR120N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
材质Silicon
宽度5.21 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFR120N20 数据手册

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