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IXFR90N30
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IXFR90N30 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:IXFR 系列 单通道 N 沟道 300 V 33 mOhm 400 W 功率 Mosfet - ISOPLUS247
PDF文件:IXFR90N30 数据手册 (3 页)
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焊盘图
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IXFR90N30 数据手册 (3 页)
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IXFR90N30 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
通道数1 Channel
极性N-CH
功耗417W (Tc)
阈值电压4.5 V
漏源极电压(Vds)300 V
连续漏极电流(Ids)75A
上升时间55 ns
输入电容值(Ciss)10000pF @25V(Vds)
下降时间40 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)417W (Tc)
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IXFR90N30 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
宽度5.21 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFR90N30 数据手册

IXFR90N30 数据手册
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IXFR90N30 数据手册
IXYS Semiconductor
IXFR 系列 单通道 N 沟道 300 V 33 mOhm 400 W 功率 Mosfet - ISOPLUS247
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