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IXFN34N80
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IXFN34N80 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXFN34N80 数据手册 (4 页)
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IXFN34N80 数据手册 (4 页)
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IXFN34N80 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOT-227-4
通道数1 Channel
漏源极电阻240 mΩ
极性N-CH
功耗600 W
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
连续漏极电流(Ids)34A
上升时间45 ns
输入电容值(Ciss)7500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)600 W
下降时间40 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)600W (Tc)
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IXFN34N80 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度38.2 mm
宽度25.07 mm
高度9.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFN34N80 数据手册

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